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  • 背照式结构:提升近红外区域量子效率(QE>80%@800nm)
  • 超低噪声:0.9e⁻读出噪声(双增益模式)
  • 高速全局快门:最短曝光时间1μs
  • 片上温度控制:集成TEC驱动电路(±0.1°C稳定性)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件
有效像素 - 2048×2048 - pixels 6.5μm像素间距
感光区域 - 13.3×13.3 - mm² -
量子效率(@400nm) 45 52 - % -
量子效率(@800nm) 75 82 - % -
满阱容量 28,000 30,000 - e⁻ -
动态范围 - 86 - dB 双增益模式
帧率(全分辨率) - 36 - fps 8通道LVDS
功耗 - 2.8 3.2 W 25°C,全速工作

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